Mikroelektronik devrelere elektrostatik boşalma nedeniyle oluşan hasar modu
Metal kablolama ve difüzyon bölgesi (veya polikristalin) temas deliği, bir kıvılcım oluşturarak metal ve silikonun omik temasının kopmasına neden olur.
Düğümün sıcaklığı yarı iletken silikonun (1415 ° C) erime noktasını aştığında, silikon yeniden kristalleşmeye neden olmak üzere eritilir, bu da cihazın kısa devre yapmasına neden olur. Metalize elektrotlar ve kablolar eritilir ve “küreselleşerek” devreye girerek devrenin açılmasını sağlar. Büyük bir akım, birleşme noktası sıcaklığının yükselmesine neden olan, bir "sıcak nokta" veya "sıcak çalışma" oluşturan cihaz sıcaklığına neden olan Joule ısı üretmek için PN bağlantısından akar. Elektrostatik boşalmanın neden olduğu ani yüksek akım (statik kıvılcım) yanıcı ve patlayıcı gazları ateşler ve tutuşturur. Karışımlar veya elektrikli havai fişekler, kazayla yanma ve patlama kazalarına neden olabilir.
Elektrostatik boşalma, insan vücudunun elektrik çarpmasına maruz kalmasına, ikincil kazalara ve elektrostatik alanın Coulomb kuvvetinin tekstil, baskı ve plastik ambalaj gibi otomatik üretim hatlarını engellemesine neden olur. Üçüncü tip elektrostatik tehlike, elektrostatik boşalma veya elektronik ekipmandaki elektrostatik boşalma elektromanyetik darbesinin (ESDEMP) neden olduğu elektromanyetik girişimden kaynaklanan elektromanyetik radyasyondan kaynaklanır.
Genel olarak, elektrostatik boşalma, mikrosaniye veya sodyum saniye sırasına göre gerçekleştirilir, bu nedenle, bu işlem lokalize bir yüksek sıcaklık ısı kaynağı oluşturmak için ilmek boyunca büyük bir akımın geçtiği adyabatik bir işlemdir. Mikroelektronik cihazlar için elektrostatik boşalma enerjisi cihaz üzerinden serbest bırakılır ve ortalama güç birkaç kW'a ulaşabilir. Isının güç dağıtma yüzeyinden yayılması zordur, bu nedenle cihazda büyük bir sıcaklık gradyanı oluşturarak yerel termal hasara neden olur. Devre performansı kötüleşir veya arızalanır.