Enstrümanlar için anti-statik önlemler
(1) MOS cihazının her girişinde harici bir direnç seri olarak bağlayın.
(2) MOS cihazının tüm farklı giriş kabloları yüzer bırakılamaz ve farklı devrelere göre güç zemine, güç (kaynak) VSS veya güç (drenaj) VDD'ye bağlanmalıdır.
(3) CMOS cihazının çıkışı (analog anahtar hariç) kablo hattından bir dirençle ayrılabilir ve devre, iki yüksek hızlı anahtarlama diyotu ile VSS veya VDD'ye kenetlenebilir.
(4) Uzun giriş kabloları kullanılırken bir filtreleme ağı kullanılmalıdır.
(5) Elektrostatik deşarj (ESD) hassas bipolar bileşenlerinin girişinde, büyük direnç değerine sahip bir direnç ve 1 0} 0pf kapasitesine sahip bir kapasitörden oluşan bir RC ağının, elektrostatik deşarjın (ESD) etkisini azaltmak için harici olarak bağlanır. Devre özellikleri belirtildiğinde, girişi zemine kaydırmak için her bir polaritede 0.5V voltajı kelepçelemek için iki paralel diyot da kullanılabilir.
(6) Basılı devre kartlarına takılan ESD duyarlı bileşenlerin uçlarının doğrudan herhangi bir koruma devresi olmadan elektrik konektörlerinin terminallerine bağlanmasına izin verilmez.
(7) Enstrümanların ve ekipmanın arayüz devreleri, ESD duyarlılık seviyesi 3 veya duyarsız bileşenleri mümkün olduğunca kullanmalıdır.
(8) ESD duyarlı devrelere bağlı enstrüman ve ekipmanların harici elektrik konektörleri ESD koruma kapakları (kapaklar) ile donatılmalıdır.
(9) ESD hassas ürünlerine bağlı klavyeler, kontrol panelleri, manuel kontroller, anahtarlar ve kilitleme cihazları, şasi öğütülmüş teli aracılığıyla insan vücudundaki statik yükü doğrudan deşarj etmek için tasarlanmalıdır.
(10) ESD'ye duyarlı bileşenleri egzoz fanları gibi elektrostatik alanlar üreten bileşenlerden uzak tutmak için bileşenler ve hibrit devreler düzenlenmelidir ve gerektiğinde elektrostatik baskılama teknolojisi ve elektrostatik koruma teknolojisi kullanılmalıdır.
(11) ESD'ye duyarlı ürünler, dünyaya bağlı yer terminalleri veya gemilerin, uzay aracı, roketler ve füzelerin metal kabukları ile donatılmalıdır.
(12) Şasi kabuğu üst üste biniyorsa, örtüşme direnci 0. 1Ω olsa bile, deşarj akımı 30A ise, örtüşmede 3V voltajı olacaktır, yani farklı devrelerin referans potansiyeli 3V'ye göre değişecektir. Çözüm, tek noktalı topraklama kullanmak ve mümkün olduğunca örtüşmekten kaçınmaktır.